日前，鄰社光電宣布成功制備了紅、綠、藍三基色硅襯底GaN基Micro LED陣列，在Micro LED全彩芯片開發(fā)上邁出了關鍵的一步。
據(jù)了解，微米尺寸的Micro LED制備已經(jīng)脫離了普通LED工藝，進入了IC制程。而大尺寸硅襯底GaN晶圓具有低成本、兼容IC制程、易于襯底剝離等核心優(yōu)勢，已成為Micro LED制備的主流技術路線之一。
國際上，Aledia、Plessey、ALLOS 、STRATACACHE等企業(yè)均專注于硅襯底Micro LED的研發(fā)，主要消費電子產(chǎn)業(yè)巨頭更是在這一領域投入大量資源，以期在AR、VR等可穿戴設備的巨大市場中搶占先機。
從Micro LED技術層面上看，Micro LED走向大規(guī)模應用要求高良率和高光效的紅綠藍三基色MicroLED芯片。目前，綠光和藍光的GaN材料體系已經(jīng)成熟，能夠滿足Micro LED制程開發(fā)的要求，而紅光Micro LED技術難點則仍是Micro LED制程中的一大阻礙。
據(jù)了解，傳統(tǒng)的紅光AlInGaP體系因為其材料較脆和側(cè)壁上非輻射復合嚴重，面臨著良率和光效兩方面的重大技術瓶頸。因此，InGaN基紅光LED，尤其是大尺寸硅襯底上的InGaN基紅光LED被寄以厚望。
近年來，海外頻繁傳來關于InGaN基紅光Micro LED技術突破的消息。
如今，鄰社光電成功制備硅襯底紅光Micro LED，在實現(xiàn)Micro LED全彩化上取得了關鍵性的突破。
據(jù)鄰社光電芯片副總監(jiān)黃濤介紹，本次制備的硅襯底InGaN紅、綠、藍Micro LED陣列像素點間距為25微米，像素密度為1000PPI，在10A/cm2電流密度下的峰值波長分別為650nm、531nm、和445nm。其中，InGaN紅光芯片的外量子效率（36mil，650nm峰值波長）為3.5%，EL的半高寬為70nm。
全彩化關鍵突破！鄰社光電實現(xiàn)硅襯底紅光Micro LED
圖為鄰社光電展示的硅襯底GaN基RGB Micro LED陣列
這一成果的發(fā)布標志鄰社成為國內(nèi)首家實現(xiàn)硅襯底GaN基三基色Micro LED的企業(yè)，對于實現(xiàn)國內(nèi)Micro LED的商用化具有重要的推動作用。
事實上，鄰社光電一直專注硅襯底GaN基LED技術開發(fā)，目前其硅襯底GaN基LED產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了從365nm到660nm的可見光范圍，并且實現(xiàn)了較高的量產(chǎn)良率、波長集中度、光效、和可靠性。
2018年，鄰社光電開始硅襯底Micro LED的研發(fā)工作，并看好硅襯底GaN基Micro LED在AR/VR產(chǎn)業(yè)上的巨大應用前景。
全彩化關鍵突破！鄰社光電實現(xiàn)硅襯底紅光Micro LED
圖為鄰社光電展示的硅襯底GaN基RGB Micro LED歸一化光譜
全彩化關鍵突破！鄰社光電實現(xiàn)硅襯底紅光Micro LED
圖為鄰社光電展示的36mil尺寸硅襯底GaN基紅光LED光譜
鄰社光電表示，未來相關廠商需持續(xù)努力解決諸如InGaN紅光光效、發(fā)光半高寬、以及最終的全彩化方案等關鍵問題。同時，還需要與產(chǎn)業(yè)鏈的廠商形成聯(lián)動作用，通過整個產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同效應，共同推動Micro LED顯示技術的規(guī)模應用。
來源：司令 發(fā)布日期
2021-09-16 瀏覽： 
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