國星光電點亮Micro LED全彩顯示屏nStar Ⅲ
來源：司令 發(fā)布日期
2023-12-07 瀏覽：
近日，國星光電Micro LED超高清顯示研發(fā)項目成功點亮nStar Ⅲ。這是一款采用LTPS-TFT玻璃基驅動背板的1.84英寸Micro LED全彩顯示屏，該屏采用全倒裝無襯底LED像素發(fā)光單元，可實現(xiàn)屏幕峰值亮度＞1500nits，像素間距為0.078mm，分辨率360*480，有望應用于Micro LED手表等智能穿戴產(chǎn)品。
據(jù)國星光電介紹，nStar Ⅲ采用國星光電自主研發(fā)的巨量轉移技術和Micro LED玻璃基封裝專利技術，不僅實現(xiàn)＞50多萬顆Micro?LED芯片高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度＜2um，轉移良率＞99.9%，還使得外形厚度更薄，平整度更高，可兼顧散熱與顯示一致性。
從2020年6月nStar Ⅰ問世，到2022年9月推出nStar Ⅱ，再到本次迎來nStar Ⅲ，國星光電Micro LED全彩顯示屏產(chǎn)品迭代升級正在穩(wěn)步推進當中。
2020年6月，國星光電第一代Micro LED新品——nStar Ⅰ 2.7英寸顯示模組正式面世。技術方面，據(jù)介紹，nStar Ⅰ采用玻璃作為基板介質，透明度高達60%；采用RGB芯片巨量轉移技術，色域大于100% NTSC，全彩化顯示效果更加逼真；采用一體式超薄封裝技術，對散熱更友好，同時保證了顯示效果的一致性以及更低亮度損失；具有更低的失效率，功率可低至LCD的10-20%，OLED的50-70%，可靠性高。
2022年9月，公司又推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ。nStar Ⅱ為一款3.5英寸玻璃基Micro LED全彩顯示屏，像素間距300微米（P0.3），采用TFT驅動實現(xiàn)了8bit（256灰階）色深的顯示效果；基于自主搭建的Micro LED技術創(chuàng)新研發(fā)平臺，同時突破了巨量轉移及巨量鍵合雙重技術難題，其綜合良率提升至99.99%。
伴隨著nStar系列產(chǎn)品更新?lián)Q代，技術上不斷向小間距、小尺寸等方面升級，性能持續(xù)提升，國星光電后續(xù)產(chǎn)品的開發(fā)將不斷拓寬應用領域。
在Micro LED領域，國星光電近年來大力布局自主研發(fā)，自2018年成立Mini&Micro LED研究中心后，2020年又成立了廣東省半導體微顯示重點實驗室，目前，公司在Mini/Micro LED領域已申請發(fā)明專利100余件。
值得一提的是，國星光電牽頭承擔的Micro LED全彩顯示屏研發(fā)項目分別獲批國家重點研發(fā)計劃、廣東省重點領域研發(fā)計劃等科研項目，這有助于國星光電全力推進Micro LED新型顯示項目開發(fā)，加速關鍵技術攻堅進程。
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